ترانزیستورهای جدید آی بی ام و سامسونگ؛ گامی در جهت تولید تراشههای زیر یک نانومتر
0
سامسونگ و آی بی ام ترانزیستورهای جدیدی با اثر میدان انتقال عمودی (VTFET) طراحی کردهاند که میتواند کلیدی برای تولید تراشههای زیر یک نانومتری باشد.
سامسونگ و آی بی ام ترانزیستورهای جدیدی با اثر میدان انتقال عمودی (VTFET) طراحی کردهاند که میتواند کلیدی برای تولید تراشههای زیر یک نانومتری باشد.